ON Semiconductor NGTG12N60TF1G, N沟道 IGBT 晶体管模块, 88（脉冲）A, Vce=600 V, 3针 TO-3PF封装
- RS 库存编号:
- 801-6801P
- 制造商零件编号:
- NGTG12N60TF1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 10 件 (以带装提供)*
RMB116.28
(不含税)
RMB131.40
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 45 | RMB11.628 |
| 50 - 95 | RMB11.40 |
| 100 - 495 | RMB9.14 |
| 500 + | RMB7.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-6801P
- 制造商零件编号:
- NGTG12N60TF1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 88（脉冲）A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 54 W | |
| 封装类型 | TO-3PF | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 15.5mm | |
| 宽度 | 5.5mm | |
| 高度 | 26.5mm | |
| 尺寸 | 15.5 x 5.5 x 26.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 88（脉冲）A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 54 W | ||
封装类型 TO-3PF | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 15.5mm | ||
宽度 5.5mm | ||
高度 26.5mm | ||
尺寸 15.5 x 5.5 x 26.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||