ON Semiconductor NGB8207BNT4G, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, 双电极, Vce=365 V, 4针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 805-1756
- 制造商零件编号:
- NGB8207BNT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB55.58
(不含税)
RMB62.805
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB11.116 | RMB55.58 |
| 50 - 95 | RMB8.988 | RMB44.94 |
| 100 - 245 | RMB8.902 | RMB44.51 |
| 250 - 495 | RMB8.446 | RMB42.23 |
| 500 + | RMB7.494 | RMB37.47 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-1756
- 制造商零件编号:
- NGB8207BNT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 20 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 365 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±15V | |
| 最大功率耗散 | 165 W | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 10.29mm | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 尺寸 | 10.29 x 9.65 x 4.83mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 20 A | ||
最大集电极-发射极电压 365 V | ||
最大栅极发射极电压 ±15V | ||
最大功率耗散 165 W | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 10.29mm | ||
宽度 9.65mm | ||
高度 4.83mm | ||
尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||