ON Semiconductor NGB18N40ACLBT4G, N沟道 IGBT 晶体管, 18 A, Vce=430 V, 1MHz, 3针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 805-4383
- 制造商零件编号:
- NGB18N40ACLBT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB40.38
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB8.076 | RMB40.38 |
| 10 - 20 | RMB7.918 | RMB39.59 |
| 25 - 95 | RMB7.762 | RMB38.81 |
| 100 - 495 | RMB7.61 | RMB38.05 |
| 500 + | RMB7.46 | RMB37.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 805-4383
- 制造商零件编号:
- NGB18N40ACLBT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 18 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 430 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 18V | |
| 最大功率耗散 | 115 W | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 10.29mm | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 尺寸 | 10.29 x 9.65 x 4.83mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 18 A | ||
最大集电极-发射极电压 430 V | ||
最大栅极发射极电压 18V | ||
最大功率耗散 115 W | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 10.29mm | ||
宽度 9.65mm | ||
高度 4.83mm | ||
尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||