Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTD2, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3针 TO-3P封装
- RS 库存编号:
- 807-0757
- 制造商零件编号:
- FGA50N100BNTD2
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB33.35 |
| 5 - 9 | RMB32.70 |
| 10 - 49 | RMB26.72 |
| 50 - 99 | RMB26.20 |
| 100 + | RMB21.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-0757
- 制造商零件编号:
- FGA50N100BNTD2
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 50 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1000 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±25V | |
| 最大功率耗散 | 156 W | |
| 封装类型 | TO-3P | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 高度 | 20.1mm | |
| 尺寸 | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 50 A | ||
最大集电极-发射极电压 1000 V | ||
最大栅极发射极电压 ±25V | ||
最大功率耗散 156 W | ||
封装类型 TO-3P | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 15.8mm | ||
宽度 5mm | ||
高度 20.1mm | ||
尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||