Fairchild Semiconductor FGH40T65UPD, N沟道 IGBT 晶体管, 80 A, Vce=650 V, 1MHz, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 807-0773
- 制造商零件编号:
- FGH40T65UPD
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计（1 包，共 2 件）*
RMB63.80
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB31.90 | RMB63.80 |
| 10 - 18 | RMB27.445 | RMB54.89 |
| 20 - 98 | RMB25.575 | RMB51.15 |
| 100 - 198 | RMB21.34 | RMB42.68 |
| 200 + | RMB18.26 | RMB36.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 807-0773
- 制造商零件编号:
- FGH40T65UPD
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 268 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 高度 | 20.82mm | |
| 尺寸 | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 268 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 15.87mm | ||
宽度 4.82mm | ||
高度 20.82mm | ||
尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||