STMicroelectronics STGE50NC60VD, N沟道 IGBT 晶体管, 90 A, Vce=600 V, 1MHz, 4针 ISOTOP封装
- RS 库存编号:
- 810-3475P
- 制造商零件编号:
- STGE50NC60VD
- 制造商:
- STMicroelectronics
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RMB2,139.50
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 49 | RMB189.34 |
| 50 - 199 | RMB164.15 |
| 200 - 499 | RMB160.93 |
| 500 + | RMB139.37 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 810-3475P
- 制造商零件编号:
- STGE50NC60VD
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 90 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 260 W | |
| 封装类型 | ISOTOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 38.2mm | |
| 宽度 | 24.15mm | |
| 高度 | 12.2mm | |
| 尺寸 | 38.2 x 24.15 x 12.2mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 90 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 260 W | ||
封装类型 ISOTOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 4 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 38.2mm | ||
宽度 24.15mm | ||
高度 12.2mm | ||
尺寸 38.2 x 24.15 x 12.2mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||