Infineon IGW25N120H3, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 826-8232
- 制造商零件编号:
- IGW25N120H3
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB37.70
(不含税)
RMB42.60
(含税)
有库存
- 另外 264 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB37.70 |
| 25 - 49 | RMB30.91 |
| 50 - 99 | RMB30.30 |
| 100 - 239 | RMB28.05 |
| 240 + | RMB27.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 826-8232
- 制造商零件编号:
- IGW25N120H3
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 50 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 326 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 高度 | 21.1mm | |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 50 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 326 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 16.13mm | ||
宽度 5.21mm | ||
高度 21.1mm | ||
尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN