Infineon IGW25N120H3, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3针 TO-247封装

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RS 库存编号:
826-8232P
制造商零件编号:
IGW25N120H3
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

50 A

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

326 W

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

1MHz

晶体管配置

长度

16.13mm

宽度

5.21mm

高度

21.1mm

尺寸

16.13 x 5.21 x 21.1mm

最高工作温度

+175 °C

最低工作温度

-40 °C

COO (Country of Origin):
CN