Infineon IGB10N60T, N沟道 IGBT 晶体管, 10 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-263封装

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RS 库存编号:
826-9055
制造商零件编号:
IGB10N60T
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

10 A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

110 W

封装类型

D2PAK (TO-263)

安装类型

表面贴装

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

1MHz

晶体管配置

长度

10.31mm

宽度

9.45mm

高度

4.57mm

尺寸

10.31 x 9.45 x 4.57mm

最低工作温度

-40 °C

最高工作温度

+175 °C

不适用