STMicroelectronics STGF15H60DF, N沟道 IGBT 晶体管, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-220FP封装
- RS 库存编号:
- 829-7120
- 制造商零件编号:
- STGF15H60DF
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB59.50
(不含税)
RMB67.25
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB11.90 | RMB59.50 |
| 25 - 95 | RMB9.60 | RMB48.00 |
| 100 - 245 | RMB7.99 | RMB39.95 |
| 250 - 495 | RMB7.834 | RMB39.17 |
| 500 + | RMB7.68 | RMB38.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-7120
- 制造商零件编号:
- STGF15H60DF
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 30 | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 600 | |
| 最大功耗 Pd | 30 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 系列 | Trench gate field stop | |
| 高度 | 16.4 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.6 | |
| 长度 | 10.4 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 Ic 30 | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 600 | ||
最大功耗 Pd 30 | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 | ||
最高工作温度 175 | ||
系列 Trench gate field stop | ||
高度 16.4 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.6 | ||
长度 10.4 | ||
汽车标准 否 | ||