STMicroelectronics STGWT80H65FB, N沟道 IGBT 晶体管, 120 A, Vce=650 V, 1MHz, 3针 TO-3P封装
- RS 库存编号:
- 829-7145P
- 制造商零件编号:
- STGWT80H65FB
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计 25 件 (按管提供)*
RMB1,526.25
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RMB1,724.75
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 99 | RMB61.05 |
| 100 - 249 | RMB54.78 |
| 250 - 499 | RMB51.59 |
| 500 + | RMB48.84 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-7145P
- 制造商零件编号:
- STGWT80H65FB
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 120 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 469 W | |
| 封装类型 | TO-3P | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 高度 | 20.1mm | |
| 尺寸 | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 120 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 469 W | ||
封装类型 TO-3P | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 15.8mm | ||
宽度 5mm | ||
高度 20.1mm | ||
尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||