ON Semiconductor NGTB35N65FL2WG, N沟道 IGBT 晶体管, 70 A, Vce=650 V, 1MHz, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 842-7898P
- 制造商零件编号:
- NGTB35N65FL2WG
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 20 件 (按管提供)*
RMB495.00
(不含税)
RMB559.40
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 48 | RMB24.75 |
| 50 - 98 | RMB21.67 |
| 100 - 198 | RMB19.855 |
| 200 + | RMB18.535 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 842-7898P
- 制造商零件编号:
- NGTB35N65FL2WG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 70 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 300 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 16.26mm | |
| 宽度 | 5.3mm | |
| 高度 | 21.08mm | |
| 尺寸 | 16.26 x 5.3 x 21.08mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 70 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 300 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 16.26mm | ||
宽度 5.3mm | ||
高度 21.08mm | ||
尺寸 16.26 x 5.3 x 21.08mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN