Infineon IKP08N65H5XKSA1, N沟道 IGBT 晶体管, 18 A, Vce=650 V, 1MHz, 3针 TO-220AB封装

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RS 库存编号:
857-8582
制造商零件编号:
IKP08N65H5XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

18 A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

70 W

封装类型

TO-220AB

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

1MHz

晶体管配置

长度

10.36mm

宽度

4.57mm

高度

15.95mm

尺寸

10.36 x 4.57 x 15.95mm

最高工作温度

+175 °C

最低工作温度

-40 °C