Infineon IKB10N60T, N沟道 IGBT 晶体管, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 857-8589
- 制造商零件编号:
- IKB10N60T
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | RMB7.73 | RMB7,730.00 |
| 2000 - 4000 | RMB6.909 | RMB6,909.00 |
| 5000 + | RMB6.773 | RMB6,773.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 857-8589
- 制造商零件编号:
- IKB10N60T
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 20 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 10.31mm | |
| 宽度 | 9.45mm | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 尺寸 | 10.31 x 9.45 x 4.57mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 20 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 110 W | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 10.31mm | ||
宽度 9.45mm | ||
高度 4.57mm | ||
尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
不适用