STMicroelectronics STGB20H60DF, N沟道 IGBT 晶体管, 40 A, Vce=600 V, 3针 D2PAK封装

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RS 库存编号:
860-7549
制造商零件编号:
STGB20H60DF
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流

40 A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

167 W

封装类型

D2PAK (TO-263)

安装类型

表面贴装

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

长度

10.4mm

宽度

9.35mm

高度

4.6mm

尺寸

10.4 x 9.35 x 4.6mm

最低工作温度

-55 °C

最高工作温度

+175 °C