STMicroelectronics STGB20V60F, N沟道 IGBT 晶体管, 40 A, Vce=600 V, 3针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 860-7555P
- 制造商零件编号:
- STGB20V60F
- 制造商:
- STMicroelectronics
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RMB723.40
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 48 | RMB32.01 |
| 50 - 98 | RMB26.505 |
| 100 - 248 | RMB25.69 |
| 250 + | RMB24.875 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 860-7555P
- 制造商零件编号:
- STGB20V60F
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 40 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 167 W | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 宽度 | 9.35mm | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 尺寸 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 40 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 167 W | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 10.4mm | ||
宽度 9.35mm | ||
高度 4.6mm | ||
尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||