Fairchild Semiconductor FGB5N60UNDF, N沟道 IGBT 晶体管, 10 A, Vce=600 V, 2 +Tab针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 864-8815P
- 制造商零件编号:
- FGB5N60UNDF
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 50 件 (按管提供)*
RMB530.00
(不含税)
RMB599.00
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 195 | RMB10.60 |
| 200 - 395 | RMB8.588 |
| 400 - 795 | RMB8.42 |
| 800 + | RMB7.42 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8815P
- 制造商零件编号:
- FGB5N60UNDF
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 10 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 73.5 W | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 10 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 73.5 W | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 9.65mm | ||
高度 4.83mm | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||