Fairchild Semiconductor FGD3N60LSDTM, N沟道 IGBT 晶体管, 6 A, Vce=600 V, 2 +Tab针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 864-8821P
- 制造商零件编号:
- FGD3N60LSDTM
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB417.65
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 495 | RMB7.392 |
| 500 - 995 | RMB6.048 |
| 1000 - 2495 | RMB5.02 |
| 2500 + | RMB4.46 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8821P
- 制造商零件编号:
- FGD3N60LSDTM
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 6 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±25V | |
| 最大功率耗散 | 40 W | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 6 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±25V | ||
最大功率耗散 40 W | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 6.22mm | ||
高度 2.39mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||