Fairchild Semiconductor FGPF10N60UNDF, N沟道 IGBT 晶体管, 20 A, Vce=600 V, 3针 TO-220F封装
- RS 库存编号:
- 864-8903
- 制造商零件编号:
- FGPF10N60UNDF
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB63.12
(不含税)
RMB71.325
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB12.624 | RMB63.12 |
| 50 - 245 | RMB10.512 | RMB52.56 |
| 250 - 495 | RMB9.22 | RMB46.10 |
| 500 - 995 | RMB8.06 | RMB40.30 |
| 1000 + | RMB6.68 | RMB33.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8903
- 制造商零件编号:
- FGPF10N60UNDF
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 20 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 42 W | |
| 封装类型 | TO-220F | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 宽度 | 4.9mm | |
| 高度 | 16.07mm | |
| 尺寸 | 10.36 x 4.9 x 16.07mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 20 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 42 W | ||
封装类型 TO-220F | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 10.36mm | ||
宽度 4.9mm | ||
高度 16.07mm | ||
尺寸 10.36 x 4.9 x 16.07mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||