ON Semiconductor NGTB10N60R2DT4G IGBT 晶体管
- RS 库存编号:
- 882-9809
- 制造商零件编号:
- NGTB10N60R2DT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB7.80 | RMB78.00 |
| 50 - 90 | RMB6.30 | RMB63.00 |
| 100 - 240 | RMB5.10 | RMB51.00 |
| 250 - 490 | RMB4.50 | RMB45.00 |
| 500 + | RMB4.20 | RMB42.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 882-9809
- 制造商零件编号:
- NGTB10N60R2DT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 20 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 72 W | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
| 栅极电容 | 1340pF | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 20 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 72 W | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 6.22mm | ||
高度 2.38mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm | ||
栅极电容 1340pF | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MY