ON Semiconductor NGTB20N120IHWG IGBT 晶体管
- RS 库存编号:
- 882-9815
- 制造商零件编号:
- NGTB20N120IHWG
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB27.50 | RMB55.00 |
| 10 - 18 | RMB22.00 | RMB44.00 |
| 20 - 48 | RMB18.00 | RMB36.00 |
| 50 - 98 | RMB15.50 | RMB31.00 |
| 100 + | RMB14.50 | RMB29.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 882-9815
- 制造商零件编号:
- NGTB20N120IHWG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 最大连续集电极电流 | 40 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 341 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 16.25mm | |
| 宽度 | 5.3mm | |
| 高度 | 21.4mm | |
| 尺寸 | 16.25 x 5.3 x 21.4mm | |
| 额定能量 | 0.92mJ | |
| 栅极电容 | 3590pF | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
最大连续集电极电流 40 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 341 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 16.25mm | ||
宽度 5.3mm | ||
高度 21.4mm | ||
尺寸 16.25 x 5.3 x 21.4mm | ||
额定能量 0.92mJ | ||
栅极电容 3590pF | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- VN