NXP MOSFET, P沟道, Si, Vds=20 V, 3.9 A, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
- RS 库存编号:
- 134-295P
- 制造商零件编号:
- PMV65XP
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 250 - 450 | RMB1.218 |
| 500 - 950 | RMB1.194 |
| 1000 - 2450 | RMB0.869 |
| 2500 + | RMB0.852 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 134-295P
- 制造商零件编号:
- PMV65XP
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.9 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 (TO-236AB) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 76 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 0.9V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.47V | |
| 最大功率耗散 | 1.92 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.6 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.9 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 SOT-23 (TO-236AB) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 76 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 0.9V | ||
最小栅阈值电压 0.47V | ||
最大功率耗散 1.92 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.4mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 7.6 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1mm | ||
长度 3mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN