ZXM61N02FTA , N沟道 MOSFET 晶体管, 1.7 A, Vds=20 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 154-958P
- 制造商零件编号:
- ZXM61N02FTA
- 制造商:
- DiodesZetex
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小计 125 件 (按连续条带形式提供)*
RMB245.75
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RMB277.75
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 475 | RMB1.966 |
| 500 - 1225 | RMB1.768 |
| 1250 - 2475 | RMB1.534 |
| 2500 + | RMB1.404 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 154-958P
- 制造商零件编号:
- ZXM61N02FTA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.7 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 180 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.7V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 806 mW | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 尺寸 | 3.05 x 1.4 x 1mm | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 典型关断延迟时间 | 7.8 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 160 pF@ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.4 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 2.4 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.7 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 180 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.7V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 806 mW | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.4mm | ||
尺寸 3.05 x 1.4 x 1mm | ||
长度 3.05mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
典型关断延迟时间 7.8 ns | ||
典型输入电容值@Vds 160 pF@ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 3.4 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 2.4 ns | ||