ZVN3310FTA , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.1 A, Vds=100 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 155-018
- 制造商零件编号:
- ZVN3310FTA
- 制造商:
- DiodesZetex
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包装 | 每包 | 每单位* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB3.53 | RMB0.141 |
| 125 - 475 | RMB2.94 | RMB0.118 |
| 500 - 1225 | RMB2.72 | RMB0.109 |
| 1250 - 2475 | RMB2.45 | RMB0.098 |
| 2500 + | RMB2.35 | RMB0.094 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 155-018
- 制造商零件编号:
- ZVN3310FTA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 100 mA | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | Ω10 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 330 mW | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 4 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 40 pF@ 25 V | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 典型接通延迟时间 | 3 ns | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 3.05 x 1.4 x 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 100 mA | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 Ω10 | ||
最大栅阈值电压 2.4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 330 mW | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 4 ns | ||
典型输入电容值@Vds 40 pF@ 25 V | ||
宽度 1.4mm | ||
典型接通延迟时间 3 ns | ||
长度 3.05mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 3.05 x 1.4 x 1mm | ||