ZXM62P03E6TA , P沟道 MOSFET 晶体管, 1.5 A, Vds=20 V, 6针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 155-131
- 制造商零件编号:
- ZXM62P03E6TA
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB46.70
(不含税)
RMB52.80
(含税)
正在逐步停售
- 最终 1,340 个，准备发货
包装 | 每包 | 每单位* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB4.67 | RMB0.467 |
| 50 - 190 | RMB3.89 | RMB0.389 |
| 200 - 490 | RMB3.59 | RMB0.359 |
| 500 - 990 | RMB3.24 | RMB0.324 |
| 1000 + | RMB3.11 | RMB0.311 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 155-131
- 制造商零件编号:
- ZXM62P03E6TA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 1.5 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 230 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 806 mW | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10.2 nC @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 2.8 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 13.9 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 330 pF @ 25 V | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.8 x 1.3mm | |
| 宽度 | 1.8mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 1.5 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 230 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 806 mW | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 10.2 nC @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 2.8 ns | ||
典型关断延迟时间 13.9 ns | ||
典型输入电容值@Vds 330 pF @ 25 V | ||
高度 1.3mm | ||
长度 3.1mm | ||
尺寸 3.1 x 1.8 x 1.3mm | ||
宽度 1.8mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||