2SJ380(F) , P沟道 MOSFET 晶体管, 12 A, Vds=100 V, 3针 SC-67，TO-220NIS封装

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RS 库存编号:
185-401
制造商零件编号:
2SJ380(F)
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

通道类型

P

最大连续漏极电流

12 A

最大漏源电压

100 V

最大漏源电阻值

210 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

SC-67

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

35000 mW

每片芯片元件数目

1

宽度

4.7mm

典型输入电容值@Vds

1100 pF @ 10 V

最低工作温度

-55 °C

高度

8.1mm

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

48 nC @ 10 V

长度

10.3mm

尺寸

10.3 x 4.7 x 8.1mm

COO (Country of Origin):
JP