2SJ669(Q) , P沟道 MOSFET 晶体管, 5 A, Vds=60 V, 3针 TPS封装

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RS 库存编号:
185-546
制造商零件编号:
2SJ669(Q)
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

通道类型

P

最大连续漏极电流

5 A

最大漏源电压

60 V

最大漏源电阻值

170 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

TPS

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

1200 mW

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

15 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

700 pF @ 10 V

最低工作温度

-55 °C

尺寸

8 x 3.5 x 7mm

长度

8mm

宽度

3.5mm

高度

7mm

最高工作温度

+150 °C

COO (Country of Origin):
JP