2SK2508(F) , N沟道 MOSFET 晶体管, 13 A, Vds=250 V, 3针 TO-220NIS封装

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RS 库存编号:
185-625
制造商零件编号:
2SK2508(F)
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

通道类型

N

最大连续漏极电流

13 A

最大漏源电压

250 V

最大漏源电阻值

250 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

TO-220NIS

安装类型

通孔

引脚数目

3

晶体管配置

单

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

45000 mW

典型输入电容值@Vds

1800 pF @ 10 V

典型栅极电荷@Vgs

40 nC @ 10 V

长度

10mm

尺寸

10 x 4.5 x 8.1mm

宽度

4.5mm

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

最低工作温度

-55 °C

最高工作温度

+150 °C

高度

8.1mm

系列

2SK

COO (Country of Origin):
JP