2SK4012(Q) , N沟道 MOSFET 晶体管, 13 A, Vds=500 V, 3针 TO-220SIS封装
- RS 库存编号:
- 185-732P
- 制造商零件编号:
- 2SK4012(Q)
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计 10 件 (按管提供)*
RMB293.46
(不含税)
RMB331.61
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 15 | RMB29.346 |
| 20 - 45 | RMB27.09 |
| 50 - 95 | RMB24.456 |
| 100 + | RMB23.478 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 185-732P
- 制造商零件编号:
- 2SK4012(Q)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 13 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.4 Ω | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 封装类型 | TO-220SIS | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 45,000 mW | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 高度 | 8.1mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 2400 pF V @ 25 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 50 nC V @ 10 | |
| 长度 | 10mm | |
| 尺寸 | 10 x 4.5 x 8.1mm | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 13 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
最大漏源电阻值 0.4 Ω | ||
最大栅源电压 ±30 V | ||
封装类型 TO-220SIS | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 45,000 mW | ||
最高工作温度 +150°C | ||
高度 8.1mm | ||
典型输入电容值@Vds 2400 pF V @ 25 | ||
典型栅极电荷@Vgs 50 nC V @ 10 | ||
长度 10mm | ||
尺寸 10 x 4.5 x 8.1mm | ||
宽度 4.5mm | ||
最低工作温度 -55°C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
