IXFN36N100 , N沟道 MOSFET晶体管和二极管, 36 A, Vds=1000 V, 4针 SOT-227B封装
- RS 库存编号:
- 193-795
- 制造商零件编号:
- IXFN36N100
- 制造商:
- IXYS
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB343.43
(不含税)
RMB388.08
(含税)
有限的库存
- 另外 87 件在 2026年6月01日 发货
- 另外 175 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB343.43 |
| 5 - 9 | RMB336.69 |
| 10 - 19 | RMB306.26 |
| 20 - 49 | RMB300.25 |
| 50 + | RMB291.19 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 193-795
- 制造商零件编号:
- IXFN36N100
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 36 A | |
| 最大漏源电压 | 1000 V | |
| 最大漏源电阻值 | 240 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-227B | |
| 安装类型 | 面板安装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 700000 mW | |
| 系列 | HiperFET | |
| 高度 | 9.6mm | |
| 典型接通延迟时间 | 41 ns | |
| 宽度 | 25.42mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 110 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 9200 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 380 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 38.23mm | |
| 尺寸 | 38.23 x 25.42 x 9.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 36 A | ||
最大漏源电压 1000 V | ||
最大漏源电阻值 240 mΩ | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-227B | ||
安装类型 面板安装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 700000 mW | ||
系列 HiperFET | ||
高度 9.6mm | ||
典型接通延迟时间 41 ns | ||
宽度 25.42mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 110 ns | ||
典型输入电容值@Vds 9200 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 380 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 38.23mm | ||
尺寸 38.23 x 25.42 x 9.6mm | ||