IXFX30N100Q2 , N沟道 MOSFET晶体管和二极管, 30 A, Vds=1000 V, 3针 PLUS 247封装
- RS 库存编号:
- 193-947
- 制造商零件编号:
- IXFX30N100Q2
- 制造商:
- IXYS
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB395.90 |
| 5 - 19 | RMB329.92 |
| 20 - 49 | RMB304.54 |
| 50 - 99 | RMB274.93 |
| 100 + | RMB263.93 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 193-947
- 制造商零件编号:
- IXFX30N100Q2
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 A | |
| 最大漏源电压 | 1000 V | |
| 最大漏源电阻值 | 400 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | PLUS247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 735 W | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 186 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 60 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 22 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 8200 pF @ 25 V | |
| 系列 | HiperFET, Q-Class | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.34mm | |
| 高度 | 21.34mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 A | ||
最大漏源电压 1000 V | ||
最大漏源电阻值 400 mΩ | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 PLUS247 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 735 W | ||
宽度 5.21mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 186 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 60 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 22 ns | ||
典型输入电容值@Vds 8200 pF @ 25 V | ||
系列 HiperFET, Q-Class | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 16.13mm | ||
尺寸 16.13 x 5.21 x 21.34mm | ||
高度 21.34mm | ||
