IXFP7N80P , N沟道 MOSFET晶体管和二极管, 7 A, Vds=800 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 194-136
- 制造商零件编号:
- IXFP7N80P
- 制造商:
- IXYS
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB96.03
(不含税)
RMB108.515
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB19.206 | RMB96.03 |
| 25 - 95 | RMB16.004 | RMB80.02 |
| 100 - 245 | RMB14.452 | RMB72.26 |
| 250 - 495 | RMB13.338 | RMB66.69 |
| 500 + | RMB12.804 | RMB64.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 194-136
- 制造商零件编号:
- IXFP7N80P
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 7 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.44 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 200 W | |
| 典型接通延迟时间 | 28 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 9.15mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | HiperFET, Polar | |
| 典型输入电容值@Vds | 1890 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 55 ns | |
| 尺寸 | 10.66 x 4.83 x 9.15mm | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.66mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 7 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
最大漏源电阻值 1.44 Ω | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 200 W | ||
典型接通延迟时间 28 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 9.15mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 HiperFET, Polar | ||
典型输入电容值@Vds 1890 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 55 ns | ||
尺寸 10.66 x 4.83 x 9.15mm | ||
宽度 4.83mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.66mm | ||