IXFN60N80P , N沟道 MOSFET晶体管和二极管, 53 A, Vds=800 V, 4针 SOT-227B封装
- RS 库存编号:
- 194-350
- 制造商零件编号:
- IXFN60N80P
- 制造商:
- IXYS
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 1 | RMB163.81 |
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| 10 - 19 | RMB123.86 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 194-350
- 制造商零件编号:
- IXFN60N80P
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 53 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 最大漏源电阻值 | 140 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | SOT-227B | |
| 安装类型 | 面板安装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.04 kW | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | HiperFET, Polar | |
| 高度 | 9.6mm | |
| 典型接通延迟时间 | 36 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 25.42mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 18000 pF@ 25 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 38.23 x 25.42 x 9.6mm | |
| 长度 | 38.23mm | |
| 典型关断延迟时间 | 110 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 250 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 53 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
最大漏源电阻值 140 mΩ | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 SOT-227B | ||
安装类型 面板安装 | ||
引脚数目 4 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.04 kW | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 HiperFET, Polar | ||
高度 9.6mm | ||
典型接通延迟时间 36 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 25.42mm | ||
典型输入电容值@Vds 18000 pF@ 25 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 38.23 x 25.42 x 9.6mm | ||
长度 38.23mm | ||
典型关断延迟时间 110 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V | ||