STS8C5H30L, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, Vds=30 V, 8针 SO封装
- RS 库存编号:
- 248-877
- 制造商零件编号:
- STS8C5H30L
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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| 50 - 190 | RMB4.69 | RMB46.90 |
| 200 - 490 | RMB4.09 | RMB40.90 |
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| 1000 + | RMB3.776 | RMB37.76 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 248-877
- 制造商零件编号:
- STS8C5H30L
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 5.4 A，8 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 22 mΩ，55 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2000 mW | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12.5 nC @ 5 V，7 nC @ 5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns，25 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 典型关断延迟时间 | 23 ns、125 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1350 pF @ 25 V、857 pF @ 25 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.25mm | |
| 系列 | STripFET | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.25mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 5.4 A，8 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 22 mΩ，55 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2000 mW | ||
典型栅极电荷@Vgs 12.5 nC @ 5 V，7 nC @ 5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 12 ns，25 ns | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 4mm | ||
典型关断延迟时间 23 ns、125 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1350 pF @ 25 V、857 pF @ 25 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.25mm | ||
系列 STripFET | ||
尺寸 5 x 4 x 1.25mm | ||
长度 5mm | ||