STN3PF06 , P沟道 MOSFET 晶体管, 2.5 A, Vds=60 V, 4针 SOT-223封装

品牌

STMicroelectronics

通道类型

P

最大连续漏极电流

2.5 A

最大漏源电压

60 V

最大漏源电阻值

200 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

SOT-223

安装类型

表面贴装

引脚数目

4

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

2500 mW

典型接通延迟时间

20 ns

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

系列

STripFET

高度

1.8mm

尺寸

6.5 x 3.5 x 1.8mm

宽度

3.5mm

长度

6.5mm

最低工作温度

-65 °C

典型栅极电荷@Vgs

16 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

850 pF @ 25 V

典型关断延迟时间

40 ns