STT5PF20V , P沟道 MOSFET 晶体管, 5 A, Vds=20 V, 6针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 249-088P
- 制造商零件编号:
- STT5PF20V
- 制造商:
- STMicroelectronics
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RMB382.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 380 | RMB3.38 |
| 400 - 980 | RMB3.03 |
| 1000 - 1980 | RMB2.64 |
| 2000 + | RMB2.42 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-088P
- 制造商零件编号:
- STT5PF20V
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 5 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 80 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1600 mW | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 宽度 | 1.75mm | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 系列 | STripFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 尺寸 | 3.05 x 1.75 x 1.3mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.5 nC @ 2.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 412 pF @ 15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 38 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 5 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 80 mΩ | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1600 mW | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||
宽度 1.75mm | ||
高度 1.3mm | ||
系列 STripFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.05mm | ||
尺寸 3.05 x 1.75 x 1.3mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 4.5 nC @ 2.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 412 pF @ 15 V | ||
典型关断延迟时间 38 ns | ||