Magnatec N沟道 Si MOSFET 2N7000, 350 mA, Vds=60 V, 3针 TO-92封装
- RS 库存编号:
- 296-043P
- 制造商零件编号:
- 2N7000
- 制造商:
- Magnatec
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB3.692 |
| 100 - 245 | RMB3.314 |
| 250 - 495 | RMB3.068 |
| 500 + | RMB2.946 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 296-043P
- 制造商零件编号:
- 2N7000
- 制造商:
- Magnatec
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Magnatec | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 350 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -18 V、+18 V | |
| 封装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1 W | |
| 宽度 | 3.94mm | |
| 尺寸 | 4.95 x 3.94 x 4.95mm | |
| 长度 | 4.95mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 4.95mm | |
| 典型关断延迟时间 | 7 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 43 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.4 nC @ 5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Magnatec | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 350 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 5 Ω | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -18 V、+18 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1 W | ||
宽度 3.94mm | ||
尺寸 4.95 x 3.94 x 4.95mm | ||
长度 4.95mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 4.95mm | ||
典型关断延迟时间 7 ns | ||
典型输入电容值@Vds 43 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.4 nC @ 5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 5 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
