IRF7507TRPBF, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, Vds=20 V, 8针 Micro8封装
- RS 库存编号:
- 301-186P
- 制造商零件编号:
- IRF7507TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 49 | RMB3.37 |
| 50 - 99 | RMB3.27 |
| 100 - 249 | RMB3.18 |
| 250 + | RMB3.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 301-186P
- 制造商零件编号:
- IRF7507TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 1.7 A，2.4 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 140 mΩ，270 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 0.7V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.7V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | MSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.25 W | |
| 长度 | 3mm | |
| 尺寸 | 3 x 3 x 0.86mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.3 nC @ 4.5 V，5.4 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 240 pF@ 15 V, 260 pF@ 15 V | |
| 高度 | 0.86mm | |
| 典型关断延迟时间 | 15 ns, 38 ns | |
| 系列 | HEXFET | |
| 宽度 | 3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 5.7 ns、9.1 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 1.7 A，2.4 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 140 mΩ，270 mΩ | ||
最大栅阈值电压 0.7V | ||
最小栅阈值电压 0.7V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 MSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.25 W | ||
长度 3mm | ||
尺寸 3 x 3 x 0.86mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.3 nC @ 4.5 V，5.4 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 240 pF@ 15 V, 260 pF@ 15 V | ||
高度 0.86mm | ||
典型关断延迟时间 15 ns, 38 ns | ||
系列 HEXFET | ||
宽度 3mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 5.7 ns、9.1 ns | ||
晶体管材料 Si | ||