IRLD110PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 1 A, Vds=100 V, 4针 HVMDIP, HexDIP封装
- RS 库存编号:
- 301-338
- 制造商零件编号:
- IRLD110PBF
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB5.228 | RMB26.14 |
| 25 - 95 | RMB4.174 | RMB20.87 |
| 100 - 245 | RMB3.622 | RMB18.11 |
| 250 - 495 | RMB3.156 | RMB15.78 |
| 500 + | RMB2.796 | RMB13.98 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 301-338
- 制造商零件编号:
- IRLD110PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 540 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 封装类型 | HVMDIP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 长度 | 5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 9.3 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.1 nC @ 5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 250 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 16 ns | |
| 宽度 | 6.29mm | |
| 尺寸 | 5 x 6.29 x 3.37mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 3.37mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 540 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
封装类型 HVMDIP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.3 W | ||
长度 5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 9.3 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.1 nC @ 5 V | ||
典型输入电容值@Vds 250 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 16 ns | ||
宽度 6.29mm | ||
尺寸 5 x 6.29 x 3.37mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 3.37mm | ||
