IRF7526D1TRPBF , P沟道 MOSFET 晶体管, 2 A, Vds=30 V, 8针 Micro8封装

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RS 库存编号:
301-546P
制造商零件编号:
IRF7526D1TRPBF
制造商:
International Rectifier
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品牌

International Rectifier

通道类型

P

最大连续漏极电流

2 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

200 mΩ

最大栅阈值电压

1V

最小栅阈值电压

1V

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

MSOP

安装类型

表面贴装

引脚数目

8

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

1250 mW

高度

0.86mm

系列

FETKY

最高工作温度

+150 °C

长度

3mm

尺寸

3 x 3 x 0.86mm

每片芯片元件数目

1

典型接通延迟时间

9.7 ns

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

7.5 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

180 pF @ 25 V

典型关断延迟时间

19 ns

宽度

3mm