IRF5802TRPBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.9 A, Vds=150 V, 6针 TSOP封装
- RS 库存编号:
- 301-647
- 制造商零件编号:
- IRF5802TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB1.584 | RMB15.84 |
| 50 - 190 | RMB1.552 | RMB15.52 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 301-647
- 制造商零件编号:
- IRF5802TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 900 mA | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.2 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 5.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 宽度 | 1.5mm | |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 系列 | HEXFET | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 7.5 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 88 pF@ 25 V | |
| 尺寸 | 3 x 1.5 x 0.9mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时，4.5 常闭 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 900 mA | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 1.2 Ω | ||
最大栅阈值电压 5.5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
高度 0.9mm | ||
宽度 1.5mm | ||
典型接通延迟时间 6 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
系列 HEXFET | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型关断延迟时间 7.5 ns | ||
典型输入电容值@Vds 88 pF@ 25 V | ||
尺寸 3 x 1.5 x 0.9mm | ||
长度 3mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，4.5 常闭 | ||