IRF5810TRPBF, 双 P沟道 MOSFET 晶体管, 2.9 A, Vds=20 V, 6针 TSOP封装

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RS 库存编号:
301-675P
制造商零件编号:
IRF5810TRPBF
制造商:
International Rectifier
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品牌

International Rectifier

通道类型

P

最大连续漏极电流

2.9 A

最大漏源电压

20 V

最大漏源电阻值

90 mΩ

最大栅源电压

-12 V、+12 V

封装类型

TSOP

安装类型

表面贴装

引脚数目

6

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

960 mW

典型栅极电荷@Vgs

6.4 nC @ 4.5 V

最低工作温度

-55 °C

典型接通延迟时间

8.2 ns

典型关断延迟时间

62 ns

典型输入电容值@Vds

650 pF @ 16 V

每片芯片元件数目

2

高度

1.3mm

最高工作温度

+150 °C

宽度

1.75mm

长度

3mm

尺寸

3 x 1.75 x 1.3mm