IRF7607TRPBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 6.5 A, Vds=20 V, 8针 Micro8封装
- RS 库存编号:
- 301-776
- 制造商零件编号:
- IRF7607TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB23.54
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RMB26.60
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB4.708 | RMB23.54 |
| 25 - 95 | RMB3.924 | RMB19.62 |
| 100 - 245 | RMB3.622 | RMB18.11 |
| 250 - 495 | RMB3.27 | RMB16.35 |
| 500 + | RMB3.138 | RMB15.69 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 301-776
- 制造商零件编号:
- IRF7607TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6.5 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 30 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | MSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1800 mW | |
| 典型关断延迟时间 | 36 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1310 pF @ 15 V | |
| 尺寸 | 3 x 3 x 0.86mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.86mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 典型接通延迟时间 | 8.5 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6.5 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 30 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 MSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1800 mW | ||
典型关断延迟时间 36 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 5 V | ||
典型输入电容值@Vds 1310 pF @ 15 V | ||
尺寸 3 x 3 x 0.86mm | ||
长度 3mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.86mm | ||
系列 HEXFET | ||
典型接通延迟时间 8.5 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3mm | ||