2SK4021(Q) , N沟道 MOSFET 晶体管, 4.5 A, Vds=250 V, 3针 PW Mold2封装
- RS 库存编号:
- 362-793P
- 制造商零件编号:
- 2SK4021(Q)
- 制造商:
- Toshiba
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小计 20 件 (按管提供)*
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RMB83.50
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 40 | RMB3.695 |
| 50 - 90 | RMB3.411 |
| 100 - 190 | RMB3.079 |
| 200 + | RMB2.956 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 362-793P
- 制造商零件编号:
- 2SK4021(Q)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PW Mold2 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 20 W | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 440 pF@ 10 V | |
| 高度 | 5.5mm | |
| 系列 | 2SK | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 6.5 x 2.3 x 5.5mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4.5 A | ||
最大漏源电压 250 V | ||
最大漏源电阻值 1 Ω | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PW Mold2 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 20 W | ||
宽度 2.3mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 440 pF@ 10 V | ||
高度 5.5mm | ||
系列 2SK | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 6.5 x 2.3 x 5.5mm | ||
长度 6.5mm | ||