2SK4003(Q) , N沟道 MOSFET 晶体管, 3 A, Vds=600 V, 3针 PW Mold2封装
- RS 库存编号:
- 362-806P
- 制造商零件编号:
- 2SK4003(Q)
- 制造商:
- Toshiba
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小计 10 件 (按管提供)*
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RMB46.20
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 15 | RMB4.09 |
| 20 - 45 | RMB3.67 |
| 50 - 95 | RMB3.20 |
| 100 + | RMB2.93 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 362-806P
- 制造商零件编号:
- 2SK4003(Q)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.2 Ω | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 封装类型 | PW Mold2 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 20000 mW | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 600 pF V @ 25 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 高度 | 5.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 6.5 x 2.3 x 5.5mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 2.2 Ω | ||
最大栅源电压 ±30 V | ||
封装类型 PW Mold2 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 20000 mW | ||
典型栅极电荷@Vgs 15 nC V @ 10 | ||
典型输入电容值@Vds 600 pF V @ 25 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.3mm | ||
高度 5.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 6.5 x 2.3 x 5.5mm | ||
长度 6.5mm | ||