Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2302CX RFG, 2.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 398-423P
- 制造商零件编号:
- TSM2302CX RF
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 250 - 450 | RMB0.844 |
| 500 - 950 | RMB0.779 |
| 1000 - 2450 | RMB0.703 |
| 2500 + | RMB0.675 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 398-423P
- 制造商零件编号:
- TSM2302CX RF
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.8 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 65 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | ±8 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 900 mW | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 427.12 pF@ 6 V | |
| 典型关断延迟时间 | 16.61 ns | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 尺寸 | 3.05 x 1.4 x 0.95mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.69 nC @ 4.5 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 6.16 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.8 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 65 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 ±8 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 900 mW | ||
宽度 1.4mm | ||
典型输入电容值@Vds 427.12 pF@ 6 V | ||
典型关断延迟时间 16.61 ns | ||
高度 0.95mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.05mm | ||
尺寸 3.05 x 1.4 x 0.95mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 3.69 nC @ 4.5 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 6.16 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||