TPC8114(TE12L,Q) , P沟道 MOSFET 晶体管, 18 A, Vds=30 V, 8针 SOP封装
- RS 库存编号:
- 415-180P
- 制造商零件编号:
- TPC8114(TE12L,Q)
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计 25 件 (按连续条带形式提供)*
RMB162.90
(不含税)
RMB184.075
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB6.516 |
| 100 - 245 | RMB6.016 |
| 250 - 495 | RMB5.43 |
| 500 + | RMB5.214 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 415-180P
- 制造商零件编号:
- TPC8114(TE12L,Q)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1900 mW | |
| 长度 | 5mm | |
| 宽度 | 4.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 7480 pF @ 10 V | |
| 尺寸 | 5 x 4.4 x 1.5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 18 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 5 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1900 mW | ||
长度 5mm | ||
宽度 4.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 7480 pF @ 10 V | ||
尺寸 5 x 4.4 x 1.5mm | ||
高度 1.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||