2SK2992(TE12L,F) , N沟道 MOSFET 晶体管, 1 A, Vds=200 V, 4针 PW Mini封装
- RS 库存编号:
- 415-225
- 制造商零件编号:
- 2SK2992(TE12L,F)
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
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| 50 - 190 | RMB3.21 | RMB32.10 |
| 200 - 490 | RMB2.963 | RMB29.63 |
| 500 - 990 | RMB2.675 | RMB26.75 |
| 1000 + | RMB2.568 | RMB25.68 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 415-225
- 制造商零件编号:
- 2SK2992(TE12L,F)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PW Mini | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1500 mW | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 系列 | 2SK | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 4.6mm | |
| 尺寸 | 4.6 x 2.5 x 1.6mm | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 90 pF @ 10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
最大漏源电阻值 3.5 Ω | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PW Mini | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1500 mW | ||
高度 1.6mm | ||
系列 2SK | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 4.6mm | ||
尺寸 4.6 x 2.5 x 1.6mm | ||
宽度 2.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 90 pF @ 10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 3 nC @ 10 V | ||