TPC8018-H(TE12L,Q) , N沟道 MOSFET 晶体管, 18 A, Vds=30 V, 8针 SOP封装
- RS 库存编号:
- 415-281
- 制造商零件编号:
- TPC8018-H(TE12L,Q)
- 制造商:
- Toshiba
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包装 | 每包 | 每单位* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB12.10 | RMB2.42 |
| 25 - 95 | RMB10.08 | RMB2.017 |
| 100 - 245 | RMB9.31 | RMB1.862 |
| 250 - 495 | RMB8.40 | RMB1.68 |
| 500 + | RMB8.07 | RMB1.613 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 415-281
- 制造商零件编号:
- TPC8018-H(TE12L,Q)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.9 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 5 V，38 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 2265 pF @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 18 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.9 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 5 V，38 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 2265 pF @ 10 V | ||