TPCA8015-H(TE12L,Q) , N沟道 MOSFET 晶体管, 35 A, Vds=40 V, 8针 SOP 高级封装
- RS 库存编号:
- 415-291
- 制造商零件编号:
- TPCA8015-H(TE12L,Q)
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB84.82
(不含税)
RMB95.845
(含税)
有库存
- 另外 45 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB16.964 | RMB84.82 |
| 25 - 95 | RMB14.136 | RMB70.68 |
| 100 - 245 | RMB13.05 | RMB65.25 |
| 250 - 495 | RMB11.78 | RMB58.90 |
| 500 + | RMB11.31 | RMB56.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 415-291
- 制造商零件编号:
- TPCA8015-H(TE12L,Q)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 35 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOP 高级 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 45 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 2155 pF@ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5mm | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 5 V，37 nC @ 10 V | |
| 系列 | U-MOSIII | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 5 x 0.95mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 35 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOP 高级 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 45 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 2155 pF@ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5mm | ||
高度 0.95mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 5 V，37 nC @ 10 V | ||
系列 U-MOSIII | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 5 x 0.95mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||